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BSD316SNL6327XT  与  BSD316SN H6327  区别

型号 BSD316SNL6327XT BSD316SN H6327
唯样编号 A-BSD316SNL6327XT A-BSD316SN H6327
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
宽度 - 1.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 120mΩ
上升时间 - 2.3ns
产品特性 车规 车规
Qg-栅极电荷 - 600pC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 94pF @ 15V -
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 2.3S
封装/外壳 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.6nC @ 5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 1.4A
配置 - Single
长度 - 2.00mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 160 毫欧 @ 1.4A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
下降时间 - 1ns
高度 - 0.90mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 500mW(1/2W)
典型关闭延迟时间 - 5.8ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 3.7uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - BSD316
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.4A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 30V -
典型接通延迟时间 - 3.4ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSD316SNL6327XT Infineon  数据手册 小信号MOSFET

N 通道 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 当前型号
BSD316SNH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSD316SN H6327_N 通道 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
BSD316SN H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSD316SNH6327XTSA1_30V 1.4A 120mΩ 20V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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